通知公告

通知公告

您的位置:首页  通知公告

基金委发布2023年度指南引导类原创探索计划“集成电路关键材料前沿探索”项目指南
发布时间:2023-11-14

各有关单位、各位老师:

国家自然科学基金委员会发布2023年度指南引导类原创探索计划“集成电路关键材料前沿探索”项目指南。请各有关单位仔细研读指南和形式审查等条件要求,积极组织申报。现将有关事宜通知如下:

一、科学目标

本项目面向集成电路用关键材料,具体科学目标如下:

(1)聚焦光刻胶、柔性集成电路载板等高分子材料的结构设计、固化机制及复合材料界面微结构演变与失效机理,实现关键材料的理论预测、精准合成与技术突破;

(2)针对集成电路尺寸微缩瓶颈与挑战,发展低功耗、高集成度器件应用所需的新型非硅CMOS沟道材料、晶体栅介质材料、高效电光调制系数材料和三维堆叠铁电存储阵列材料;

(3)针对集成电路极限制程封装的微凸点高质量制备和高密度互连需求,发展晶圆级微凸点互连材料,实现封装电接触材料的精准构筑。

二、资助方向

(一)极紫外高分子光刻胶。

(二)本征型层间互连封装光刻胶。

(三)集成电路用高分子复合材料界面微结构演变与失效机理研究。

(四)柔性集成电路载板的材料设计与性能调控。

(五)面向非硅CMOS器件的新型沟道材料。

(六)面向后摩尔时代低能耗器件的晶体栅介质材料。

(七)面向高集成度电光调制器的纳米光子材料。

(八)面向高密度三维堆叠存储阵列应用的铁电材料。

(九)晶圆级Sn-Ag微凸点互连材料。

(十)极限制程封装电接触材料精准构筑及电子结构调制。

三、申请程序

项目申请分为预申请和正式申请两个阶段

1、预申请

预申请提交时间为2023年11月24日-11月26日16时,以国家自然科学基金网络信息系统提交时间为准,在提交时间之外提交的申请将不予受理。申请人按照信息系统中的有关提示填写预申请相关内容后,直接提交至自然科学基金委。自然科学基金委受理预申请并组织审查,审查结果将以电子邮件形式反馈至申请人。

2、正式申请

预申请审查通过的申请人,应按照“专项项目-原创探索计划项目正式申请书撰写提纲”要求填写正式申请书,正式申请的核心研究内容应与预申请一致。正式申请书请于系统提交截止时间前三个工作日提交,并提前与二级单位及科研院联系

四、材料报送

申请人按照项目指南要求填报预申请材料,学院审核后在基金委系统提交,同时将预申报书、形式审查表纸质材料各1份交至科技服务大厅。

五、其他事项

1、具体要求详见基金委通知: https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info90825.htm

2、后续工作安排如有调整将另行通知,请及时关注国家自然科学基金委和学校网站。

科研院科研基地建设办公室(自然科学项目)联系电话:62901951(吴老师)、62901115(赵老师)

科研院科研基地建设办公室

2023年11月14日


合肥工业大学科研院 版权所有
Copyright©2019 news.hfut.edu.cn All rights reserved.