各有关单位、各位老师：

国家自然科学基金委员会发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2024年度项目指南。请各有关单位仔细研读指南和形式审查等条件要求，积极组织申报。现将有关事宜通知如下：

一、科学目标

本重大研究计划面向未来芯片算力问题，聚焦芯片领域发展前沿，拟通过信息、数学、物理、材料、工程、生命等多学科的交叉融合，在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破，研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件，实现算力提升2个数量级以上的非冯架构芯片，发展变革型基础器件、集成方法和计算架构，培养一支有国际影响力的研究队伍，提升我国在芯片领域的自主创新能力和国际地位。

二、核心科学问题

（一）CMOS器件能耗边界及突破机理。

（二）突破硅基速度极限的器件机制。

（三）超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制。

三、2024年度资助研究方向

（一）培育项目。

围绕上述科学问题，以总体科学目标为牵引，拟资助探索性强、选题新颖、前期研究基础较好的培育项目5项，研究方向包括但不限于以下内容：

1、超低功耗器件的理论、材料与集成技术。

2、高速高性能器件的理论、材料与集成技术。

3、高能效计算与存储架构。

（二）重点支持项目。

围绕核心科学问题，以总体科学目标为牵引，拟资助前期研究成果积累较好、处于当前前沿热点、对总体目标有较大贡献的重点支持项目6项，方向如下：

1、超低温下的弹道输运器件。

2、高迁移率堆叠沟道围栅CMOS器件。

3、高鲁棒性的SRAM存算一体架构及其大规模扩展架构研究。

4、融合不同存储介质的异构存算一体架构研究。

5、面向科学计算的高精度模拟计算架构研究。

6、面向新型计算器件的异构众核架构设计方法。

(三)  集成项目。

拟遴选具有重大应用价值和良好研究基础的研究方向资助集成项目3项，方向如下：

1、面向大规模CMOS集成的二维半导体技术。

2、RISC-V与存算一体异构融合芯片。

3、数据驱动存算集成计算架构。

四、限项申请规定

执行《2024年度国家自然科学基金项目指南》“申请规定”中限项申请规定的相关要求。

五、学校申报截止日期和材料报送

项目申请人按照指南要求填报申请书及附件，学院审核后于2024年6月27日16时前在基金委系统提交，同时将纸质申报书、预算审核表和形式审查表各1份交至科技服务大厅，预算审核表和形式审查表的签章扫描版发至邮箱：zhaorui@hfut.edu.cn (邮件主题：国家基金项目申报+姓名)。

六、其他事项

1、具体要求详见基金委通知: https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info92645.htm

2、后续工作安排如有调整将另行通知，请及时关注国家自然科学基金委和学校网站。

科研院科研基地建设办公室（自然科学项目）联系电话：62901951（吴老师）、62901115（赵老师）

科研院科研基地建设办公室

2024年5月24日