各有关单位：

国家自然科学基金委员会后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2020年度项目指南（详见基金委通知）已经发布。请各有关单位仔细研读指南和形式审查条件要求，积极申报。现将有关事宜通知如下：

一、核心科学问题

本计划针对后摩尔时代芯片技术的算力瓶颈，围绕以下三个核心科学问题展开研究：

（一）CMOS器件能耗边界及突破机理。

重点解决以下关键问题：探寻CMOS器件进行单次信息处理的能耗边界，研究突破该边界的新机理，实现超低能耗下数据的计算、存储和传输。

（二）突破硅基速度极限的器件机制。

重点解决以下关键问题：在探索同时具备载流子长自由程和高态密度的新材料体系基础上，研究近似弹道输运的器件机理，实现突破硅基载流子速度极限的高性能器件。

（三） 超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制。

重点解决以下关键问题：探寻计算与存储融合的机制与方法，并结合新型信息编码范式，实现新型计算架构，突破冯∙诺依曼架构的能效瓶颈。

二、申报截止日期

2020年6月26日17时前

三、申报材料

申请人按照项目指南要求填报申请书及附件材料，申请材料中包含所需的附件材料。待学院审核通过后，申请人将科研审核系统的预算审核单、形式审查表和申报材料各一份交至科研服务大厅。

四、其他事项

1、具体要求详见项目指南:

http://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab568/info77917.htm

2、后续工作安排如有调整将另行通知，请及时关注国家自然科学基金委和学校网站。

联系电话：62901951、62901115

科研院自然科学项目管理办公室

2020年5月28日