各有关单位：

国家自然科学基金委员会现征集“后摩尔时代新器件基础研究”重大研究计划2021年度项目指南建议<原文链接>。现将有关事宜通知如下：

一、指南建议书主要内容

　　本重大研究计划面向未来芯片算力问题，聚焦芯片领域发展前沿，拟通过与信息、数理、工程材料、生命等多学科的交叉融合，在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破，研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件，实现算力提升2个数量级以上的非冯∙诺伊曼架构芯片，发展变革型基础器件、集成方法和计算架构。指南建议书主要内容包括：

　　（一）对解决本重大研究计划核心科学问题、实现总体目标的贡献；

　　（二）围绕解决核心科学问题拟开展的主要研究内容；

　　（三）预期可能取得的突破性进展及其可行性论证；

（四）建议资助项目亚类说明。

二、我校申报截止时间：2020年10月29日16时

三、材料报送

　　建议书（双面打印1份，见基金委通知）、《项目申报科研诚信承诺书》1份（见附件）于2020年10月29日16时前送至学术会议中心一楼科技服务大厅，同时将电子版发至kyyzrb@hfut.edu.cn（邮件主题：“后摩尔时代新器件基础研究”重大项目立项建议+姓名）。

科研院科研基地建设办公室联系电话：62901951（赵老师）

　　附件：《项目申报科研诚信承诺书》

科研院科研基地建设办公室

2020年10月22日