各有关单位、各位老师：

国家自然科学基金委员会发布后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划2023年度项目指南。请各有关单位仔细研读指南和形式审查等条件要求，积极申报。现将有关事宜通知如下：

一、科学目标

本重大研究计划面向未来芯片算力问题，聚焦芯片领域发展前沿，拟通过信息、数理、材料、工程、生命等多学科的交叉融合，在超低能耗信息处理新机理、载流子近似弹道输运新机理、具有高迁移率与高态密度的新材料、高密度集成新方法以及非冯计算新架构等方面取得突破，研制出1fJ以下开关能耗的超低功耗器件和超越硅基CMOS载流子输运速度极限的高性能器件，实现算力提升2个数量级以上的非冯架构芯片，发展变革型基础器件、集成方法和计算架构，培养一支有国际影响力的研究队伍，提升我国在芯片领域的自主创新能力和国际地位。

二、核心科学问题

　　针对后摩尔时代芯片技术的算力瓶颈，围绕以下三个核心科学问题展开研究：

　　（一）CMOS器件能耗边界及突破机理。

　　（二）突破硅基速度极限的器件机制。

　　（三）超越经典冯∙诺依曼架构能效的机制。

三、学校申报截止日期和材料报送

项目申请人请按照指南要求填报申请书及附件材料。待学院审核通过后，请于2023年3月15日16时前在基金委系统提交，同时将科研审核系统的预算审核表和形式审查表的签字扫描版发至邮箱：zhaorui@hfut.edu.cn (邮件主题：后摩尔时代新器件基础研究重大研究计划项目申报+姓名)。纸质申报书、预算审核表和形式审查表各1份于3月16日16时前交至科技服务大厅。

四、其他事项

1、具体要求详见基金委通知: https://www.nsfc.gov.cn/publish/portal0/tab434/info88572.htm

2、后续工作安排如有调整将另行通知，请及时关注国家自然科学基金委和学校网站。

科研院科研基地建设办公室（自然科学项目）联系电话：62901951（吴老师）、62901115（赵老师）

科研院科研基地建设办公室

2023年2月16日